سوسپتور گرافیتی روکش شده با SiC
سوسپتورهای گرافیتی روکشدار SiC شرکت Semixlab، قطعاتی با کارایی بالا هستند که برای فرآیندهای دمای بالا مانند رسوب اپیتاکسیال نیمهرسانا و MOCVD طراحی شدهاند. آنها از یک زیرلایه گرافیتی با خلوص بالا که با یک لایه کاربید سیلیکون (SiC) متراکم و از نظر شیمیایی بیاثر از طریق فرآیند CVD پوشانده شده است، استفاده میکنند. این سوسپتورها یکنواختی حرارتی عالی ارائه میدهند، به طور موثر از آلودگی ذرات جلوگیری میکنند و دوام قطعات را به طور قابل توجهی افزایش میدهند. انتخاب سوسپتورهای ما میتواند به شما در بهبود عملکرد فرآیند و کاهش هزینههای نگهداری کمک کند. مشتاقانه منتظر شنیدن نظرات شما هستیم.
توضیحات:
سوسپتور گرافیتی روکشدار شده با SiC (کاربید سیلیکون) یک جزء ضروری برای تولید نیمهرساناها است، بهویژه در کاربردهای دشوار با دمای بالا مانند رسوبدهی اپیتاکسیال و MOCVD (رسوبدهی بخار شیمیایی فلز-آلی).
این سوسپتورها برای نگه داشتن و گرم کردن ویفرهای سیلیکونی با دقت استثنایی مهندسی شدهاند و توزیع یکنواخت دما و یک محیط فرآیند بکر را تضمین میکنند. سوسپتورهای ما برای تولید لایههای نازک یکنواخت و با کیفیت بالا که پایه و اساس دستگاههای نیمههادی قابل اعتماد و با کارایی بالا هستند، بسیار مهم هستند.
۱. مواد هسته و خواص کلیدی
سوسپتورهای ما با استفاده از یک هسته گرافیتی با خلوص بالا و یک لایه محافظ کاربید سیلیکون (SiC) به صورت تخصصی ساخته شدهاند.
گرافیت با خلوص بالا: زیرلایه گرافیتی، یکپارچگی ساختاری هسته و عملکرد حرارتی را فراهم میکند. پایداری حرارتی عالی آن، امکان کار در دماهای بسیار بالا بدون تغییر شکل را فراهم میکند. جرم حرارتی کم گرافیت، گرمایش و سرمایش سریع و کارآمد را امکانپذیر میکند که برای زمان چرخه کوتاه در یک محیط تولید حیاتی است.
پوشش سیلیکون کاربید (SiC): پوشش SiC از طریق فرآیند CVD (رسوب بخار شیمیایی) بر روی گرافیت اعمال میشود. این فرآیند، سطحی متراکم و غیر متخلخل ایجاد میکند که بسیار سخت و از نظر شیمیایی بیاثر است. SiC مقاومت بالایی در برابر فرسایش پلاسما و حمله گازهای فرآیندی تهاجمی ایجاد میکند و از آلودگی و تولید ذرات جلوگیری میکند. این امر، فرآیندی تمیز را تضمین میکند، عمر قطعه را افزایش میدهد و از گرافیت زیرین در برابر آسیب محافظت میکند.
Ⅱ. مزایای عملکردی در ساخت ویفر
سوسپتورهای گرافیتی روکشدار SiC ما نقش مهمی در تضمین کیفیت و کارایی ساخت نیمههادیها دارند.
● یکنواختی حرارتی بینظیر: طراحی این گیرنده، همراه با خواص حرارتی SiC و گرافیت، تضمین میکند که گرما به طور یکنواخت در کل سطح ویفر توزیع شود. این امر برای دستیابی به ضخامت یکنواخت لایه نازک و خواص پایدار مواد، که کلید بازده بالای دستگاه هستند، حیاتی است.
● کنترل آلودگی برتر: پوشش SiC غیر متخلخل و از نظر شیمیایی خنثی، از خروج گاز و ریزش ذرات از زیرلایه گرافیتی جلوگیری میکند. این امر به طور چشمگیری خطر آلودگی و نقص ویفر را که یک چالش رایج در فرآیندهای دمای بالا است، کاهش میدهد.
● دوام و طول عمر بیشتر: پوشش SiC مقاوم به عنوان یک سپر محافظ در برابر عناصر ساینده و خورنده عمل میکند و طول عمر عملیاتی سوسپکتور را به طور قابل توجهی افزایش میدهد. این امر باعث کاهش دفعات تعویض و کاهش هزینههای کلی نگهداری میشود.
● تکرارپذیری بالای فرآیند: با فراهم کردن یک محیط حرارتی و شیمیایی پایدار و ثابت، سوسپتورهای ما امکان فرآیندهای با تکرارپذیری بالا را فراهم میکنند. این ثبات برای تولید انبوه دستگاههای نیمههادی قابل اعتماد ضروری است.
در Semixlab، ما متعهد به ارائه قطعات ممتاز و خدمات سفارشیسازی بینظیر به صنعت نیمههادی هستیم. ما طراحی و تولید سفارشی جامعی را برای سوسپکتورهای گرافیتی روکششده با SiC ارائه میدهیم. تیم مهندسی ما میتواند با شما همکاری کند تا سوسپکتوری ایجاد کنید که کاملاً با مشخصات تجهیزات و الزامات فرآیند منحصر به فرد شما مطابقت داشته باشد.
مشخصات
| خواص فیزیکی اولیه پوشش CVD SiC | |
| نوع ملک مورد نظر | مقدار معمول |
| ساختار کریستالی | فاز β FCC پلی کریستالی، عمدتاً (111) گرا |
| چگالی | 3.21 گرم در سانتی متر مربع |
| سختی | سختی 2500 ویکرز (500 گرم بار) |
| اندازه دانه | 2 ~ 10μm |
| خلوص شیمیایی | ٪۱۰۰ |
| ظرفیت گرمایی | 640 ژون کیلوگرم-1· K-1 |
| دمای تصعید | 2700 ℃ |
| استحکام خمشی | 415 مگاپاسکال RT 4 نقطه |
| مدول یانگ | 430 Gpa خم 4pt، 1300 ℃ |
| هدایت حرارتی | 300W·m-1· K-1 |
| انبساط حرارتی (CTE) | ۱۳۰۰ × ۶۰۰-6K-1 |
خدمات حرفهای ما

فروشگاه محصولات Semimixlab


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ




