قایق ویفر SiC با خلوص بالا

در زمینه تولید نیمه‌هادی‌ها، فرآیندهای دمای بالا چالش‌های شدیدی را برای حامل‌های ویفر ایجاد می‌کنند. هنگامی که دما از 1600 درجه سانتیگراد فراتر می‌رود، حامل کوارتز سنتی (قایق کوارتز استفاده شده در ویفر) شروع به نرم شدن و تغییر شکل و آزاد شدن آلاینده‌ها می‌کند و باعث افزایش نرخ ضایعات ویفر می‌شود.

قایق ویفر SiC با خلوص بالا، با مزایای ذاتی کاربید سیلیکون (SiC)، این مشکل صنعت را به طور کامل حل می‌کند و به ابزاری ضروری برای تولید نیمه‌هادی‌های پیشرفته، به ویژه تولید دستگاه‌های قدرت SiC تبدیل می‌شود.

خواص فیزیکی اصلی و پارامترهای فنی محصول:

عملکرد عالی حامل ویفر کاربید سیلیکون (SiC Wafer Carrier) از خواص منحصر به فرد علم مواد آن ناشی می‌شود. در زیر مقایسه دقیقی از پارامترهای فیزیکی کلیدی آمده است:

این پارامترها مستقیماً به بهبود بازده و کاهش هزینه‌ها در تولید نیمه‌هادی منجر می‌شوند، همانطور که در زیر نشان داده شده است:

مزیت عملکرد حرارتی: شکاف باند وسیع SiC (3.26 eV) تضمین می‌کند که ساختار کریستالی پایدار را در دمای 2000 درجه سانتیگراد حفظ کرده و از تغییر شکل حرارتی جلوگیری می‌کند. رسانایی حرارتی بالا (4.9 W/cm·K) اجازه می‌دهد تا ویفر به طور یکنواخت‌تر گرم شود و عیوب شبکه‌ای ناشی از تنش حرارتی را از بین می‌برد.

استحکام مکانیکی: سختی 9.2 موهس در طول فرآیند در برابر ضربه فیزیکی مقاومت می‌کند و عمر مفید آن بیش از 10 برابر حامل‌های کوارتز سنتی است. طراحی منحصر به فرد شیار نیم دایره‌ای، تنش تماس ویفر را زیر 5 مگاپاسکال کنترل می‌کند و اساساً پدیده لغزش در دمای بالا را از بین می‌برد.

بی‌اثری شیمیایی: تحمل گازهای بسیار خورنده مانند HF و HCl بیش از 10,000 ساعت است و آلودگی صفر در فرآیندهای LPCVD، انتشار، اکسیداسیون و سایر فرآیندها حفظ می‌شود.

نقش کلیدی قایق ویفر SiC با خلوص بالا

قایق ویفر SiC با خلوص بالا ما به طور گسترده در فرآیندهای کلیدی تولید نیمه هادی زیر استفاده می شود:

آنیل کردن در دمای بالا: در خط تولید تولیدکننده ویفر SiC، آنیلینگ در دمای بالا یک گام کلیدی برای فعال‌سازی ناخالصی‌ها و ترمیم عیوب شبکه است. پایداری دمای بالای قایق ویفر SiC، یکنواختی و اثربخشی فرآیند آنیلینگ را تضمین می‌کند.

رشد اپیتکسیال: چه اپیتاکسی مبتنی بر سیلیکون باشد و چه اپیتاکسی ویفر کاربید سیلیکون، مقاومت در برابر دمای بالا و مقاومت در برابر خوردگی قایق ویفر SiC آن را به یک حامل ایده‌آل برای اطمینان از رشد لایه اپیتاکسیال با کیفیت بالا تبدیل می‌کند.

توزیع: در کوره انتشار دما بالا، ویفر SiC موجود در ویفر LPCVD می‌تواند عملیات حرارتی طولانی مدت با دمای بالا را تحمل کند تا انتشار یکنواخت اتم‌های آلایش تضمین شود و خواص الکتریکی دقیقی ایجاد شود.

رسوب لایه نازک: به خصوص برای کاربردهای قایق ویفر Lpcvd، ریزش ذرات بسیار کم و رسانایی حرارتی عالی قایق‌های ویفر SiC به دستیابی به فیلم‌های با کیفیت بالا و یکنواختی بالا کمک می‌کند.

تجهیزات سازگار و سازگاری فرآیند:

✔ سازگار با کوره‌های رایج LPCVD (مانند TEL، Kokusai، ASM، SVG، Tystar و غیره)

✔ مشخصات ویفر قابل تنظیم مانند ۱۰۰ میلی‌متر/۱۵۰ میلی‌متر/۲۰۰ میلی‌متر

✔ پشتیبانی از نصب تجهیزات فرآیندی افقی و عمودی

قایق ویفر SiC شرکت Semixlab انتخابی ایده‌آل برای بهبود راندمان فرآیند و بازده محصول شما است و در ارائه راه‌حل‌های پیشرفته قایق ویفر نیمه‌هادی پیشرو می‌باشد.

فروشگاه‌های محصولات Semixlab